鹏顺兴客服
幸运快三LOGO
报价最快 拒绝打扰
当前位置:幸运快三详细参数导航第497页
暂无相关图片

图像仅供参考

型号: IRFZ44ZL
功能描述: International Rectifier/分立半导体大发3d
制造商: International Rectifier
幸运快三: IRFZ44ZL幸运快三/分销商

详细参数

设计资源:IRFZ44ZL Saber Model IRFZ44ZL Spice Model
标准包装:50
类别:分立半导体大发3d
家庭:FET - 单
系列:HEXFET®
包装:管件
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压(Vdss):55V
幸运快三 - 连续漏极(Id)(25°C 时):51A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):13.9 毫欧 @ 31A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):43nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1420pF @ 25V
功率 - 最大值:80W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
供应商器件封装:TO-262
其它名称:*IRFZ44ZL

幸运快三

幸运快三联系人联系电话在线联系
深圳市菲悦电子科技有限公司陆诚18924641231
0755-82951790-83252497
Email:285516526@qq.com
深圳市天卓伟业电子有限公司Camille13528438311
0755-83275789
Email:3004204729@qq.com
深圳市汇莱威科技有限公司方小姐,林先生18923795677
82785677,82785377
skype:colinzhu16Email:hlw@hlwic.com
深圳市科恒伟业电子有限公司李小姐13424246946,15817287769
0755-36561078,83200050
Email:yulin522@126.com
深圳市现代芯城互联网科技有限公司董先生15013613919
0755-82542579
Email:arthur@nowchip.com
深圳市辉华拓展电子有限公司林欣13510204226
0755-82790891
skype:CRX@678IC.COMEmail:sam@678ic.com
永利电子元器件深圳有限公司全迎15932995339
0755-82738401
skype:wynnele01Email:605001023@qq.com
深圳智天芯科技有限公司罗丽15602911070
0755-66813466
Email:ztxluoli@163.com
鸿逹科技有限公司曾先生13149949695
0735-4610245
Email:252059823@qq.com
深圳市通柯电子有限公司曾森13480711352
28586622
Email:1598763093@qq.com

同类型大发3d

  • IRFZ46NSTRR
  • XPackage:D²Pak, SMD-220, TO-263 (2 leads + tab);
  • IRFZ46NSTRRHR
  • 最大门源电压:±20; 安装:Surface Mount; 包装宽度:9.65(Max); PCB:2; 最大功率耗散:3800; 最大漏源电压:55; 欧盟RoHS指令:Not Compliant; 最大漏源电阻:16.5@10V; 每个芯片的元件数:1; 最低工作温度:-55; 供应商封装形式:D2PAK; 标准包装名称:D2PAK; 最高工作温度:175; 渠道类型:N; 包装长度:10.67(Max); 引脚数:3; 通道模式:Enhancement; 包装高度:4.83(Max); 最大连续漏极幸运快三:53; 封装:Tape and Reel; 标签:Tab; 铅形状:Gull-wing;
  • IRFZ46NSTRRPBF
  • 设计资源:IRFZ46NS Saber Model IRFZ46NS Spice Model; 标准包装:800; 类别:分立半导体大发3d; 家庭:FET - 单; 系列:HEXFET®; 包装:带卷(TR); FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物; FET 功能:标准; 漏源极电压(Vdss):55V; 幸运快三 - 连续漏极(Id)(25°C 时):53A(Tc); 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):16.5 毫欧 @ 28A,10V; 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA; 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):72nC @ 10V; 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1696pF @ 25V; 功率 - 最大值:3.8W; 安装类型:表面贴装; 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB; 供应商器件封装:D2PAK
  • IRFZ46Z
  • 设计资源:IRFZ46ZL Saber Model IRFZ46ZL Spice Model; 标准包装:50; 类别:分立半导体大发3d; 家庭:FET - 单; 系列:HEXFET®; 包装:管件; FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物; FET 功能:标准; 漏源极电压(Vdss):55V; 幸运快三 - 连续漏极(Id)(25°C 时):51A(Tc); 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):13.6 毫欧 @ 31A,10V; 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA; 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):46nC @ 10V; 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1460pF @ 25V; 功率 - 最大值:82W; 安装类型:通孔; 封装/外壳:TO-220-3; 供应商器件封装:TO-220AB; 其它名称:*IRFZ46Z
  • IRFZ46ZL
  • 设计资源:IRFZ46ZL Saber Model IRFZ46ZL Spice Model; 标准包装:50; 类别:分立半导体大发3d; 家庭:FET - 单; 系列:HEXFET®; 包装:管件; FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物; FET 功能:标准; 漏源极电压(Vdss):55V; 幸运快三 - 连续漏极(Id)(25°C 时):51A(Tc); 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):13.6 毫欧 @ 31A,10V; 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA; 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):46nC @ 10V; 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1460pF @ 25V; 功率 - 最大值:82W; 安装类型:通孔; 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA; 供应商器件封装:TO-262; 其它名称:*IRFZ46ZL
  • IRFZ46ZLPBF
  • 大发3d培训模块:High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers); 设计资源:IRFZ46ZL Saber Model IRFZ46ZL Spice Model; 标准包装:50; 类别:分立半导体大发3d; 家庭:FET - 单; 系列:HEXFET®; 包装:管件; FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物; FET 功能:标准; 漏源极电压(Vdss):55V; 幸运快三 - 连续漏极(Id)(25°C 时):51A(Tc); 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):13.6 毫欧 @ 31A,10V; 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA; 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):46nC @ 10V; 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1460pF @ 25V; 功率 - 最大值:82W; 安装类型:通孔; 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA; 供应商器件封装:TO-262; 其它名称:*IRFZ46ZLPBF

由深圳市四方好讯科技有限公司独家运营

幸运快三 ( bdbiradio.com ) 版权所有©2014-2019 |  

工商网监 安网LOGO 报警LOGO