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    4

    0755-23941632-8322600513723794312朱先生0755-83249919深圳市福田区上步工业区201栋530室11011873

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  • 深圳市辉华拓展电子有限公司


    7

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    5

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    12

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  • 深圳市汇莱威科技有限公司


    12

    0755-82785377,82785677,8276768913715291026,18923795677朱小姐,司先生华富路1046号华康大夏2栋5楼11012157

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  • 深圳市科恒伟业电子有限公司


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  • 深圳市芯泽盛世科技有限公司


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  • 深圳市恒佳微电子有限公司


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    12

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    8

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  • 深圳市宝利士科技有限公司


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    12

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    4

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    0755-23302980133928616500755-23302980福田街道福华路广业大厦15E01010503

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  • Rohs:Lead free / RoHS Compliant标准包装:10,000晶体管类型:NPN- 集电极幸运快三(Ic)(最大):4.5A电压 - 集电极发射极击穿(最大):20VVce饱和(最大)@ IB,IC:230mV @ 45mA, 4.5A幸运快三 - 集电极截止(最大):100nA直流幸运快三增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE:300 @ 1A, 2V功率 - 最大:1.1W频率转换:96MHz安装类型 :Surface Mount包/盒 :SOT-23-6供应商器件封装:SOT-23-6包装材料 :Tape & Reel (TR)幸运快三 - 集电极( Ic)(最大):4.5A晶体管类型:NPN安装类型:Surface Mount频率 - 转换:96MHz下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件:230mV @ 45mA, 4.5A幸运快三 - 集电极截止(最大):100nA标准包装:10,000电压 - 集电极发射极击穿(最大):20V供应商一分PK10封装:SOT-23-6封装:Tape & Reel (TR)功率 - 最大:1.1W封装/外壳:SOT-23-6直流幸运快三增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时:300 @ 1A, 2V
  • ZXT13N50DE6
  • 晶体管极性::NPNCollector Emitter Voltage V(br)ceo::50VTransition Frequency ft::115MHz功耗::1.1WDC Collector Current::4ADC Current Gain hFE::450Operating Temperature Min::-55°COperating Temperature Max::150°CTransistor Case Style::SOT-23No. of Pins::3MSL::MSL 1 - UnlimitedSVHC::No SVHC (20-Jun-2013)Collector Emitter Voltage Vces::12mV连续集电极幸运快三Ic最大::10ACurrent Ic @ Vce Sat::100mACurrent Ic Continuous a Max::4ACurrent Ic Typ::5ACurrent Ic hFE::1mADevice Marking::ZXT13N50DE6Gain Bandwidth ft Typ::115MHzHfe Min::300工作温度范围::-55°C to +150°CPower Dissipation Ptot Max::1.1WSMD Marking::N50DVoltage Vcbo::100VWeight (kg):0.000033Tariff No.:85412900
  • ZXT13N50DE6TA
  • 制造商:Diodes Incorporated大发3d种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)RoHS:详细信息安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-6晶体管极性:NPN配置:Single集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V集电极—基极电压 VCBO:100 V发射极 - 基极电压 VEBO:7.5 V集电极—射极饱和电压:145 mV最大直流电集电极幸运快三:4 A增益带宽大发3dfT:115 MHz最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 150 C系列:ZXT13N50高度:1.3 mm长度:3.1 mm封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel宽度:1.8 mm商标:Diodes Incorporated集电极连续幸运快三:4 APd-功率耗散:1.1 W大发3d类型:BJTs - Bipolar Transistors工厂包装数量:3000子类别:Transistors单位重量:6.500 mg
  • ZXT13N50DE6TC
  • 标准包装:10,000类别:分立式导体大发3d家庭:晶体管(BJT) - 单路系列:-包装:带卷 (TR)晶体管类型:NPN幸运快三 - 集电极 (Ic)(最大值):4A电压 - 集射极击穿(最大值):50V不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):180mV @ 400mA,4A幸运快三 - 集电极截止(最大值):100nA不同 Ic、Vce 时的 DC 幸运快三增益 (hFE)(最小值):300 @ 1A,2V功率 - 最大值:1.1W频率 - 跃迁:115MHz安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-23-6供应商器件封装:SOT-23-6ROHS: 无铅
  • ZXT13P12DE6
  • 晶体管极性::PNPCollector Emitter Voltage V(br)ceo::12VTransition Frequency ft::55MHz功耗::1.1WDC Collector Current::4ADC Current Gain hFE::500Operating Temperature Min::-55°COperating Temperature Max::150°CTransistor Case Style::SOT-23No. of Pins::3MSL::MSL 1 - UnlimitedSVHC::No SVHC (20-Jun-2013)Collector Emitter Voltage Vces::10mV连续集电极幸运快三Ic最大::15ACurrent Ic @ Vce Sat::100mACurrent Ic Continuous a Max::4ACurrent Ic Typ::4ACurrent Ic hFE::1mADevice Marking::ZXT13P12DE6Gain Bandwidth ft Typ::55MHzHfe Min::300工作温度范围::-55°C to +150°CPower Dissipation Ptot Max::1.1WSMD Marking::P12DVoltage Vcbo::20VWeight (kg):0.000033Tariff No.:85412900
  • ZXT13P12DE6TA
  • 制造商:Diodes Incorporated大发3d种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)RoHS:详细信息安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-6晶体管极性:PNP配置:Single集电极—发射极最大电压 VCEO:- 12 V集电极—基极电压 VCBO:- 29 V发射极 - 基极电压 VEBO:7.5 V集电极—射极饱和电压:- 150 mV最大直流电集电极幸运快三:4 A增益带宽大发3dfT:55 MHz最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 150 C系列:ZXT13P12直流幸运快三增益 hFE 最大值:300 at 10 mA, 2 V高度:1.3 mm长度:3.1 mm封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel宽度:1.8 mm商标:Diodes Incorporated集电极连续幸运快三:- 4 A直流集电极/Base Gain hfe Min:300 at 10 mA, 2 V, 300 at 1 A, 2 V, 200 at 4 A, 2 V, 20 at 15 A, 2 VPd-功率耗散:1.1 W大发3d类型:BJTs - Bipolar Transistors工厂包装数量:3000子类别:Transistors单位重量:6.500 mg
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  • 描述:20V NPN SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR
  • 生产厂商:ZETEX[Zetex Semiconductors]
  • 厂商logo:
  • 厂商网址:http://www.diodes.com/
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  • 制造商:Diodes Incorporated
  • 大发3d种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
  • RoHS:
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:SOT-23-6
  • 晶体管极性:NPN
  • 配置:Single
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:20 V
  • 集电极—基极电压 VCBO:50 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO:7.5 V
  • 集电极—射极饱和电压:170 mV
  • 最大直流电集电极幸运快三:4.5 A
  • 增益带宽大发3dfT:96 MHz
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • 系列:ZXT13N
  • 直流幸运快三增益 hFE 最大值:250 at 10 mA, 2 V
  • 高度:1.3 mm
  • 长度:3.1 mm
  • 封装:Cut Tape
  • 封装:MouseReel
  • 封装:Reel
  • 宽度:1.8 mm
  • 商标:Diodes Incorporated
  • 集电极连续幸运快三:4.5 A
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min:250 at 10 mA, 2 V, 300 at 1 A, 2 V, 200 at 5 A, 2 V, 15 at 15 A, 2 V
  • Pd-功率耗散:1.1 W
  • 大发3d类型:BJTs - Bipolar Transistors
  • 工厂包装数量:3000
  • 子类别:Transistors
  • 单位重量:6.500 mg

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