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M100V-020.0M相同型号技术资料
  • FZT649TC
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  • FZT651
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  • FZT651QTA
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  • FZT651QTC
  • 制造商:Diodes Incorporated大发3d种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)商标:Diodes Incorporated
  • FZT651TA
  • 制造商:Diodes Incorporated大发3d种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)RoHS:详细信息安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-223-4晶体管极性:NPN配置:Single集电极—发射极最大电压 VCEO:60 V集电极—基极电压 VCBO:80 V发射极 - 基极电压 VEBO:5 V集电极—射极饱和电压:0.43 V最大直流电集电极幸运快三:3 A增益带宽大发3dfT:175 MHz最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 150 C系列:FZT651高度:1.65 mm长度:6.7 mm封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel宽度:3.7 mm商标:Diodes Incorporated集电极连续幸运快三:3 APd-功率耗散:2 W大发3d类型:BJTs - Bipolar Transistors工厂包装数量:1000子类别:Transistors单位重量:112 mg
  • FZT651TA/BKN
  • 包装:4SOT-223类型:NPN引脚数:4最大集电极发射极电压:60 V集电极最大直流幸运快三:3 A最小直流幸运快三增益:70@50mA@2V|100@500mA@2V|80@1A@2V|40@2A@2V最大工作频率:175(Typ) MHz最大集电极发射极饱和电压:0.3@100mA@1A|0.6@300mA@3A V最大集电极基极电压:80 V工作温度:-55 to 150 °C最大功率耗散:2000 mW安装:Surface Mount标准包装:Cut Tape
WPM2005-8TR PDF文件
  • 描述:Power MOSFET and Schottky Diode
  • 生产厂商:TYSEMI[TY Semiconductor Co., Ltd]
  • 厂商logo:
  • 厂商网址:http://www.twtysemi.com
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Y607841K1660V0L技术信息

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  • 电阻41.166kOhms
  • 偏差±0.005%
  • 功率(W)0.3W
  • 成分金属箔
  • 特性防潮,非电感
  • 温度系数0.0ppm/°C
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 封装/外壳径向
  • 尺寸0.415" 长 x 0.162" 宽(10.54mm x 4.11mm)
  • 高度 - 安装(最大值)0.450"(11.43mm)
  • 端子数2
  • 无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs

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