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日期:2020-02-10 11:44

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NTD4906NT4G

NTD4906NT4G

制造商:ON Semiconductor
大发3d描述:N-Channel 30 V 5.5 mOhm 1.38 W Surface Mount Power Mosfet - TO-252-3
FET类型:N 沟道
技术:MOSFET(金属氧化物)
幸运快三-连续漏极(Id)(25°C时):10.3A(Ta),54A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):24nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):1932pF @ 15V
Vgs(最大值):±20V
功率耗散(最大值):1.38W(Ta),37.5W(Tc)
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):5.5 毫欧 @ 30A,10V
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
封装形式Package:DPAK
极性Polarity:N-CH
漏源极击穿电压VDSS:30V
连续漏极幸运快三ID:14A
无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs



本大发3d适用于所有类型的电子一分PK10和装备,涉及领域有工业、计算机、汽车制造、消费类、电信、军事、航空航天、供电和医疗市场。



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