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02540006Z-ND
规格信息:

电阻41.166kOhms

偏差±0.005%

功率(W)0.3W

成分金属箔

特性防潮,非电感

温度系数0.0ppm/°C

工作温度-55°C ~ 125°C

封装/外壳径向

尺寸0.415" 长 x 0.162" 宽(10.54mm x 4.11mm)

高度 - 安装(最大值)0.450"(11.43mm)

端子数2

无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs

型号功能描述生产厂商厂商LOGOPDF大小PDF页数下载地址相关型号第一页预览大发3d购买
WPM2005-8TRPower MOSFET and Schottky Diode TYSEMI[TY Semiconductor Co., Ltd]TYSEMI[TY Semiconductor Co., Ltd]的LOGO-幸运快三1625.98 Kbytes共8页幸运快三-WPM2005-8TR的PDF下载地址 WPM2005-8TR的PDF第一页预览图片 大发3d购买
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